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2025年11月25日，中国科学院北京纳米能源与系统研究所翟俊宜研究员应邀来我校开展学术交流，并作题为《压电（光）电子学效应及器件》的学术报告。

翟俊宜首先介绍了压电电子学、压电光电子学及挠曲电子学器件的设计原理，并明确了通过外部应变调控半导体载流子行为的核心逻辑。他聚焦氮化镓Piezo-HEMT器件，深入解析了压电效应优化器件性能的物理机制，讲解了基于压电光电子学的全光力学传感器及其在细胞力成像方面的应用。最后，他阐述了压电电子学中的力电磁多场耦合机制以及挠曲电子学器件的研究进展。报告结束后，翟俊宜与现场师生就相关问题进行了深入研讨交流。

我校集成电路学院师生参加交流活动。（集成电路学院 通讯员：赵国栋）